如何降低薄膜电容的损耗
用介质损耗小的薄膜；用电阻率低的金属（以前生产的很多老电容就是用银来做导电膜，用纯铜镀银来做引线的）。
同时无感绕法可降低薄膜电容器的损耗，增强电容器寿命积层型蒲膜电容器相比卷绕型厚度与体积更小，适用于小型电子产品卷绕型则更适用于主流与脉冲电路因此卷绕型广泛用于电子电器设备的滤波、隔直、旁路、耦合和降噪。
电容器容量下降。因此消除或减少膜层间的空气，可以减缓电容量衰减。当膜层间的空气被外界水份侵入时，空气的击穿电位会降低，加快空气电离，产生大量的臭氧，氧化金属化薄膜的金属镀层，电容器的容量会迅速下降。
金属薄膜电容是非感应式，用聚脂膜做为介质和铝箔为电极绕制而成，镀锡铜包钢线，具有环氧树脂包封，它具有：稳定性和可靠性高。无感应式结构使损耗因素降至低。优异的环境表现。ESR低。
栅极输入电容如何减少
1、开关电源高压端电容减少关闭电源增加合适电容就可以了。开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。
2、：场效应管内部电容，由工艺，功率等决定，这个电容理想状态应该=0，但实际有几百到几千P。电容越大，需要驱动电流越大，速度受到影响。无法改变。
3、若适当增大器件的开通时间，即可在很大程度上减小振荡幅值，因此考虑在驱动芯片与MOSFET栅极间加设缓冲电路，即人为串接驱动电阻，在MOSFET栅源极间并联电容以延长栅极电容的充电时间，降低电压变化率。
4、增加初始电容值法。采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器的电容量减小。
5、因此降低延时有以下几种方法： - 减小CL。好的版图设计可以有效的减少内部栅漏电容和扩散电容，以及连线电容。 - 增加晶体管的W/L比。这个有上面延时的一阶近似公式可知。
电容怎么放电?
电容快速放电的方式：可以用电压表的电压档给大电容放电。可以用电烙铁给电容放电。可以在电容的正负极之间接一个用电器，如：灯泡、电阻等切记：大电容放电要注意安全，切勿直接短接电容的正负极。
电容两极分别带有一定的电荷量，且外界和电容构成闭环，电容两极在闭环内为了迫使达到静电平衡形成电场，电场不断推动电容一极的多余负电荷，向电容正极靠近即形成电流，开始放电。
因此必须加装放电装置。当电压在1kV以下时，可采用电压为22oV白炽灯作为电容器组的放电电阻，用两个15~1o0W白炽灯串联，然后接为三角形接线。当电压超过1kV及以上时，将有单独开关的电容器组，可用电压互感器TV作为放电电阻。
低压电容器一般用放电电阻，高压电容器一般用放电线圈。
电容怎么放电：电容器在通电的电路中断电，电容器都储存有一定量电压的，电路中还有其它负载或元件时就会缓慢放电，也可以通过人为用小电阻或导线（低压时）短路快速放电。
如何消除寄生电容的影响
寄生日电容，完全消除不可能。只能尽可能减少影响。例如线圈匝间电容，就可以用间绕，蜂房式绕法来降低寄生电容。
减少寄生电容影响的方法是增加匝间距离，如间绕。
此时，通过放电可以释放寄生电容中的电荷，减小反向电动势的影响，从而使管子能够彻底关闭。另一方面，对于不需要放电就能彻底关闭的mos管，其内部设计可能采用了某些特殊的电路结构或技术，以减小或消除寄生电容的影响。
是的。电容式传感器通过增设等位环可以有效降低计生电容Cp的影响。
而对于电容如何减小呢？电容公式C=S/（4PI*K/*d）还需乘以一个常数。d为距离。即距离越大。电容越小。所以。拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。
消除方法如下：使用匹配的传感器电缆：在选择传感器电缆时，应优先考虑屏蔽性能，选择带屏蔽层的电缆，以减少电磁干扰的影响，确保在传输信号的过程中保持信噪比的合适水平。
如何抵消电路存在的寄生电感
1、另外采用集成法也是消除电容传感器寄生电容干扰的一种有效方法。
2、缩小回路面积（如双绞线）；减小线路长度；减小导线截面。
3、添加补偿电路：根据电路特点和电容器的使用条件，可以添加补偿电路，以消除电感效应。例如，通过使用串联电阻或磁珠等，可以抑制振荡并降低电压峰值。
4、双绞线将两根导线分别承螺旋状绞合 首先使两个导线相对位移的机会减少。避免了切割对方磁感线的发生。第2更重要的是两根导线的磁感线相互呈螺旋形交合了，使得产生的磁场不能明显区别于对方。并且相互制约抵消。
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